? ? ? ? 晶圓凸塊技術(shù)可在半導(dǎo)體封裝中提供顯著的性能、外形尺寸和綜合成本優(yōu)勢。在晶圓凸塊的眾多合金材料和工藝與質(zhì)量方面擁有豐富的經(jīng)驗，包括采用共晶、無鉛和銅柱合金的印刷凸塊、錫球或電鍍技術(shù)。目前的晶圓凸塊產(chǎn)品包括200mm?和?300mm?晶圓尺寸的晶圓直接凸塊、重布線凸塊和扇出型凸塊，以提供完整的一站式先進倒裝芯片封裝和晶圓級封裝解決方案。

? ? ?倒裝芯片封裝

? ? ? ? 在倒裝芯片封裝中，硅片使用焊接凸塊而非焊線直接固定在基材上，從而提供密集的互連，具有更高的帶寬和更快的數(shù)據(jù)速率，并提高了電氣性能和散熱性能。焊接凸塊和/或銅柱凸塊以網(wǎng)格陣列模式放置在器件的有效面，可以直接放置在 I/O 焊盤上，也可以從這些焊盤上布線。只有當凸塊正好在它們所連接的電子單元上（I/O 接點凸塊）時，倒裝芯片技術(shù)才能有效實現(xiàn)。倒裝芯片工藝在凸塊周圍的開放空間內(nèi)或芯片表面和電路板之間的間隙內(nèi)，使用毛細底部填充材料 (CUF) 或模塑底部填充材料 (MUF)，以產(chǎn)生高度可靠和穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。在消費、網(wǎng)絡(luò)、計算、移動和汽車市場上，倒裝芯片互連是一系列應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。

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? ? ?晶圓級封裝

? ? ? ? 晶圓級封裝 (WLP) 可在小、輕、薄的器件中提供更高的性能、功能和速度。晶圓級封裝類似于倒裝芯片封裝：它們都利用晶圓凸塊來與電路板互連。倒裝芯片互連通常使用較小的焊接凸塊，晶圓級封裝則使用較大的焊接凸塊，且無填充材料。很多晶圓級封裝采用再鈍化層作為凸塊下方電路的應(yīng)力緩沖層?；谛詢r比，在優(yōu)化晶圓級封裝設(shè)計方面，有很多的可變因素。晶圓級封裝是一種既適用于移動和手持設(shè)備等成熟市場，也適用于物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、可穿戴設(shè)備和汽車電子等新興市場的成功解決方案。

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