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產(chǎn)品服務(wù)

晶圓凸塊


晶圓凸塊技術(shù)可在半導(dǎo)體封裝中提供顯著的性能、外形尺寸和綜合成本優(yōu)勢。在晶圓凸塊的眾多合金材料和工藝與質(zhì)量方面擁有豐富的經(jīng)驗,包括采用共晶、無鉛和銅柱合金的印刷凸塊、錫球或電鍍技術(shù)。目前的晶圓凸塊產(chǎn)品包括200mm 和 300mm 晶圓尺寸的晶圓直接凸塊、重布線凸塊和扇出型凸塊,以提供完整的一站式先進倒裝芯片封裝和晶圓級封裝解決方案。
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產(chǎn)品詳情

        晶圓凸塊生產(chǎn)線,使用的是晶圓級的工藝技術(shù),包含薄膜、黃光、電鍍、刻蝕等先進的集成電路工藝技術(shù)。其中薄膜工藝是制作預(yù)鍍層及阻障層;黃光主要是針對電鍍前開窗制作的工藝;電鍍是制作金凸塊并成型;刻蝕主要是去除多余的預(yù)鍍層及阻障層。所以晶圓凸塊生產(chǎn)線,也可以視作一個小型的晶圓廠,使用的都是集成電路工藝的技術(shù)和設(shè)備。

 

晶圓凸塊

晶圓凸塊工藝

 

晶圓凸塊工藝介紹:

• UBM(Under Bump Metallurgy)金屬濺射——晶圓凸塊生成前之預(yù)鍍層及阻障層
• 光阻涂布——利用光刻膠涂布設(shè)備進行光刻膠自動涂布
• 光刻——利用步進式光刻機進行光刻膠曝光
• 顯影——使用濕式顯影設(shè)備進行開窗顯影
• 電鍍——在光刻膠開窗區(qū)電鍍形成晶圓凸塊
• 光阻去除——使用濕式去膠設(shè)備去除芯片表面光刻膠
• UBM蝕刻——去除多余的預(yù)鍍層及阻障層
• 金屬韌化——利用韌化機改變金屬的晶格排列,調(diào)整凸塊的硬度
• AOI——自動化檢測芯片生產(chǎn)良率,保證產(chǎn)品質(zhì)量

 

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